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電子工作のための 熱設計


本ページ作成開始。(2026/10/30)
半導体の熱設計の基礎と解析事例(TO-220, TO-3の場合) を記載。(2026/10/30)

    電子工作と言えども熱設計は避けて通れない技術です。
    しかし、一方で熱設計は奥の深い技術です。
    ここでは、当面必要になった熱設計の技術について最低限の項目を纏めます。

  1. 半導体の熱設計の基礎と解析事例(TO-220, TO-3の場合)

    1. 解析する半導体ケース(パッケージ)
    2. 小型のパワートランジスターや3端子レギュレータに採用されている
      TO-220、および大電力のパワートランジスタに採用されてるTO-3の熱設計
      について記載します。

      ・TO-220


      ・TO-3


    3. 熱等価回路


    4. θjc:半導体チップ内で熱を発生するジャンクションと半導体ケース(パッケージ)
       間の熱抵抗。
      θch:半導体ケース(パッケージ)とヒートシンク間の熱抵抗。
      θha:ヒートシンクと空気間の熱抵抗。
      Tj:ジャンクション温度の許容値
      Ta:周囲温度
      P[W]:熱源の消費電力

    5. 許容されるヒートシンクの熱抵抗(θha)
    6. θha < (Tj - Ta) / Pmax - θjc -θch

      Pmax:最大消費電力

    7. 詳細説明

    8. 熱設計の基礎の詳細はこちら。(2026/10/30)




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