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電子工作のための 熱設計
本ページ作成開始。(2026/10/30)
半導体の熱設計の基礎と解析事例(TO-220, TO-3の場合)
を記載。(2026/10/30)
電子工作と言えども熱設計は避けて通れない技術です。
しかし、一方で熱設計は奥の深い技術です。
ここでは、当面必要になった熱設計の技術について最低限の項目を纏めます。
- 解析する半導体ケース(パッケージ)
小型のパワートランジスターや3端子レギュレータに採用されている
TO-220、および大電力のパワートランジスタに採用されてるTO-3の熱設計
について記載します。
・TO-220

・TO-3

- 熱等価回路

θjc:半導体チップ内で熱を発生するジャンクションと半導体ケース(パッケージ)
間の熱抵抗。
θch:半導体ケース(パッケージ)とヒートシンク間の熱抵抗。
θha:ヒートシンクと空気間の熱抵抗。
Tj:ジャンクション温度の許容値
Ta:周囲温度
P[W]:熱源の消費電力
- 許容されるヒートシンクの熱抵抗(θha)
θha < (Tj - Ta) / Pmax - θjc -θch
Pmax:最大消費電力
- 詳細説明
熱設計の基礎の詳細はこちら。(2026/10/30)
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