JH8CHUのホームページ>
トランジスタ・パルス回路の設計
>トランジスタによるインバータ(1)
トランジスタによるインバータ(1)
工事中(2015/01/17)
回路の機能
トランジスタがスイッチのようにONとOFFの動作をします。
トランジスタ・スイッチのON/OFFは電圧または電流により制御します。
また、トランジスタのスイッチ動作を利用してディジタル信号の
HighレベルとLowレベルの反転をすることが出来ます。
このような反転動作をする回路をインバータと言います。
設計仕様
(1)電源電圧(Vcc): Vcc(min)〜Vcc(max)
電源電圧は一般的に正確にVccである訳ではなく、ある幅で変動します。
この変動幅内で回路の動作を保障する必要がありますが、設計値は更に
その電源仕様よりも厳しい値にする必要があります。
その設計値の電源電圧の最小値をVcc(min)、最大値をVcc(max)とします。
(2)出力電流(Io):
Ioh(max)(OFF時)
Iol(max)(ON時)
一般的に論理回路においては出力がHighレベルならば出力電流Iohは流れ出し
出力がLowレベルのときは出力電流Iolは流れ込みとなります。
それぞれ、流せる電流の最大値をIoh(max)、Iol(max)とします。
(3)入力電流(Ii):
Iih(max)
Iil(max)
(4)出力レベル(Vo):
Voh(min)
Vol(max)
(5)入力レベル(Vi):
Vih(min)
Vil(max)
(6)トランジスタ直流電流増幅率(hFE):
hFE(max)
hFE(max)
バラツキの大きいパラメータです。
保証できる最大値をhFE(max)、最小値をFE(max)とします。
(7)トランジスタのコレクタ電流の許容値:Icm
Icmは出力電流Iol(max)より大きい必要があります。
回路図
回路の動作原理【この項目は移動予定】
(1)トランジスタのOFF動作
バイポーラ・トランジスタにおいてベース電流IBを次第に減少させていくと
コレクタ電流Icは
Ic = hFE * IB
の関係があるためIcも次第に減少していきます。
このためコレクタの抵抗Rcの電圧降下も減少していき、出力電圧Voは
次第に上昇しVccに近づいて行きます。
やがて、IB≒0mAになると、Ic≒0mAになるためVo≒Vccとなります。
Ic=0とゆうことは電流が流れないので、スイッチのOFF状態と等価です。

トランジスタの静特性
で見ると、OFF状態とゆうのは遮断領域にあることを
意味します。

(2)トランジスタのON動作
バイポーラ・トランジスタにおいてベース電流IBを次第に増加させていくと
コレクタ電流Icは
Ic = hFE * IB
の関係があるためIcも次第に増加していきます。
コレクタ電流が増加すると抵抗Rcでの電圧降下が次第に大きくなりVoは低下していきます。
Ic = Vcc/Rcまで電流が増加すると、トランジスタのコレクタ〜エミッタ間電圧VCE
はほぼ0
(厳密にはVCE(sat))となります。よってVoもほぼ0となります。

VCEが0になると、もうそれ以上IBを増加させても
Icは増加しなくなります。この状態を飽和状態といい、スイッチのON状態に相当します。
トランジスタの静特性
で見ると、ON状態とゆうのは飽和領域にあることを
意味します。

ON状態で流れるコレクタ電流Icは負荷抵抗Rcで決まります。すなわち、
Ic = (Vcc - VCE(sat)) / Rc ≒ Vcc/Rc
上記のように入力電圧Viによりトランジスタのコレクタ〜エミッタ間を
スイッチのようにONとOFFの状態に制御することが出来ます。
(この回路では実際のスイッチとは異なり、電流はコレクタからエミッタ方向にしか
流すことは出来ません。双方向に電流を流すためには回路上の工夫が必要です。)
回路定数の設計
- Rcの決定
(1)トランジスタOFF動作時
出力電圧レベルがHigh、すなわちトランジスタがOFF状態のとき、
トランジスタTrには電流は流れません。従って、出力電流Iohは下図のように
全てコレクタ抵抗Rc経由で流れ出します。出力電圧をVohとすれば
Vohは電源電圧Vccよりコレクタ抵抗での電圧降下分低い電圧となるため、
Voh = Vcc - Rc*Ioh
となります。
ここで、Vohが最も低くなる条件、すなわちVoh(min)となる条件は下記です。
・Vccが最低電圧になったとき。すなわちVcc(min)のとき。
・Iohが最も大きくなったとき。すなわちIoh(max)のとき。
・抵抗器の誤差が大きい方で最大になったとき。すなわちRc(max)のとき。
従ってVoh(min)は以下の式となります。
Voh(min) = Vcc(min) - Rc(max)*Ioh(max)
このVoh(min)の式の中で、Voh(min)、Vcc(min)、Ioh(max)は設計仕様で与えられています。
残りはRc(max)ですが、上式を変形すると
Rc(max) = (Vcc(min) - Voh(min))/Ioh(max)
となります。ここで公称値Rcの抵抗器の誤差率をξとすれば上式は更に、
Rc*(1+ξ) ≦ (Vcc(min) - Voh(min))/Ioh(max)
となり、結局、
Rc ≦ (Vcc(min) - Voh(min))/(Ioh(max)*(1+ξ))
の条件を満たせば、Voh(min)を保障することが出来ます。

(2)トランジスタON動作時
出力電圧レベルがLow、すなわちトランジスタがON状態のとき、
トランジスタのコレクタに流れ込む電流はコレクタ抵抗Rcからの電流と
出力端子から流れ込む電流Iolの和となります。すなわち
Ic = Vcc/Rc + Iol
となります。ここで、Icが最も大きくなる条件、すなわちIc(max)となる条件は下記です。
・Vccが最大電圧になったとき。すなわちVcc(max)のとき。
・Iolが最も大きくなったとき。すなわちIol(max)のとき。
・コレクタ抵抗Rcの値が小さくなる方向で誤差が最大になったとき。すなわちRc(min)のとき。
従ってIc(max)は以下の式となります。
Ic(max) = Vcc(max)/Rc(min) + Iol(max)・・・・・@
Ic(max)をコレクタ電流の許容値Icm以下にするためには、
Icm ≧ Ic(max)
故に
Icm ≧ Vcc(max)/Rc(min) + Iol(max)
この式の中で、Vcc(max)、Iol(max)、Icmは設計仕様で与えられています。
残りはRc(min)ですが、上式を変形すると
Rc(min) ≧ Vcc(max)/{Ic(max) - Iol(max)}
となります。ここで公称値Rcの抵抗器の誤差率をξとすれば上式は更に、
Rc*(1-ξ) ≧ Vcc(max)/{Ic(max) - Iol(max)}
となり、結局、
Rc ≧ Vcc(max)/[{Ic(max) - Iol(max)}*(1-ξ)]
の条件を満たすRcを選定すれば、Icm ≧ Ic(max)の条件を満たすことが出来ます。

ちなみに、一般的にVol(max)>VCE(sat)です。
もし、この関係が成り立たない場合は、VCE(sat)の小さいトランジスタ
を選定し直すか、Vol(max)の設計仕様を変更する必要があります。
以上の式からRcの最大値と最小値が決まります。すなわち
Vcc(max)/[{Ic(max) - Iol(max)}*(1-ξ)] ≦ Rc ≦ (Vcc(min) - Voh(min))/(Ioh(max)*(1+ξ))
となりますので、この範囲内の値でRcを選定します。
通常は、常備品の中から選定することになるでしょう。
もし、この条件を満たすRcが存在しない場合は、使用するトランジスタを変更して
Ic(max)を見直すか、最悪、設計仕様を変更する必要があるでしょう。
- RBの決定
RBの選定は意外とやっかいです。
最初にRcは決めてあるものとします。
(1)トランジスタON動作時

インバータの出力電圧が確実にVol(max)以下になるようなIBが
流れるようにRBを選定すればよいのですが、通常は、Vol(max)より
低い電圧となるなるようにトランジスタが飽和するようなベース電流を計算します。
トランジスタの特性より
Ic = hFE * IB
の関係がありますが、コレクタ電流の最大値はIc(max)なので、
トランジスタを飽和させるためには
Ic(max) ≦ hFE * IB
とする必要があります。
この式で、hFEはいろいろな値にバラツキつきます。
また、IBも条件によって変化します。このため、以上の条件が
変わってもトランジスタを飽和させるめたには
Ic(max) ≦ hFE(min) * IB(min)・・・・・A
となる必要があります。
一方、回路構成より
IB = (Vih - VBE)/RB
となります。IBが最も小さくなる、すなわちIB(min)となる条件は
・入力電圧Vihが最少になったとき。すなわちVih(min)のとき。
・ベース〜エミッタ間電圧VBEが最大になったとき。
すなわちVBE(max)のとき。
・ベース抵抗RBの値が大きくなる方向で誤差が最大になったとき。
すなわちRB(max)のとき。
です。従って、
IB(min) = {Vih(min) - VBE(max)}/RB(max)
となります。この式と@式をA式に代入すると
Vcc(max)/Rc(min) + Iol(max) ≦ hFE(min) * {(Vih(min) - VBE(max)}/RB(max)
整理すると、
RB(max) ≦ (Vih(min) - VBE(max)) * hFE(min) / {Vcc(max)/Rc(min) + Iol(max)}
ここで抵抗器の誤差をξとすると上式は、
RB*(1+ξ) ≦ (Vih(min) - VBE(max)) * hFE(min) / [Vcc(max)/{Rc*(1-ξ)} + Iol(max)]・・・・・B
となります。この式の中で問題はVBE(max)ですが、シリコン・トランジスタの場合、
VBE=0.6〜0.8V(常温)程度なので、VBE(max)=0.9〜1.0Vとすれば問題ないでしょう。
(2)トランジスタOFF動作時
トランジスタをOFF状態にするためには入力電圧Vilを0[V]にすればよいのですが、
例えば、前段にインバータの回路があった場合、その回路の出力する"L"レベルは
トランジスタの飽和電圧であるため、0.1〜0.3[V]位になり理想的に0[V]とはなりません。
ここで、下図のように本回路構成におけるインバータを2段接続した場合を考えます。
初段のTr1はON状態、後段のTr2はOFF状態です。

Volはトランジスタの飽和電圧であるため、Vol=VCE(sat)となり、通常
0.1〜0.3[V]位の電圧が残ります。一方、Tr2のベース電圧VBEですが、
トランジスタが能動状態のときはVBE=0.6〜0.8[V]と考えますけれど、
しかし、トランジスタが遮断状態に近づくと下図のようにVBEは
0[V]に近づいていきます。

そうすると、Volが0.1〜0.3[V]位の電圧であると、IBは0[mA]とはならず
いくらか電流が流れることになります。IBが流れるとVBEは
いくらか上昇します。また、IBが流れることにより、hFE倍の
コレクタ電流Icが流れます。当然、このIcによりRcでは電圧降下が発生し
VolをVccから低下させることになります。この影響はRBの
選定によっては全く無視できない値となります。そして机上の計算の段階で
VBEがどの程度になるかを計算することは一般的に困難であるため、
例えば、最悪VBE=0[V](つまり、この条件ではIBは
最大になる)とした場合、RBはかなり大きな値が必要となり、Bの式と
両立しなくなります。
以下、具体的な計算式を検討します。

まず、出力電圧Vohが設計仕様のVoh(min)となる条件を考えます。回路構成より
Voh = Vcc - Rc * (Ic + Ioh)
となりますが、Voh≧Voh(min)でなければならないため、
Voh(min) ≦ Vcc - Rc * (Ic + Ioh)
ここで、Vohが最も小さくなる条件は
・Vccが最小になったとき、すなわちVcc(min)のとき。
・Rcが最大になったとき、すなわちRc(max)のとき。
・Icが最大になったとき、すなわちIc(max)のとき。
・Iohが最大になったとき、すなわちIoh(max)のとき。
です。従って
Voh(min) ≦ Vcc(min) - Rc(max) * {Ic(max) + Ioh(max)}
この式を変形すると
Ic(max) ≦ {Vcc(min) - Voh(min)} / Rc(max) - Ioh(max)・・・・・C
一方、トランジスタの特性より
Ic = hFE * IB
です。よって
Ic(max) = IB(max) * hFE(max)
ですので、この式をC式に代入すると
IB(max) * hFE(max) ≦ {Vcc(min) - Voh(min)} / Rc(max) - Ioh(max)
となります。この式を整理すると
RB(min) ≧ {Vil(max) - VBE(min)} * hFE(max) /
[{Vcc(min) - Voh(min)}/Rc(max) - Ioh(max)]
抵抗器の誤差をξとすれば、RB(min)=RB(1-ξ)
Rc(max)=RB(1+ξ)となるため、
これらを代入して整理すると、
RB ≧ {Vil(max) - VBE(min)} * hFE(max) /
〔[{Vcc(min) - Voh(min)}/{Rc(max)*(1+ξ)} - Ioh(max)]*(1-ξ)〕
- 回路構成上の問題点
この回路の問題点は、入力電圧Vil(max)が低いことです。
定性的に考えると、トランジスタを確実に飽和されるためには、
ベース電流IBを大きくする必要があるため、RBは小さくしなければなりません。
一方、Vil(max)を高くするためにはRBを大きくする必要があります。
このふたつの条件を同時に満足するRBが一般的には存在しないのです。
これはある意味当然で、実現したい設計仕様がふたつあるのに、
設計の自由度はひとつしかないため(すなわちRBの選定)、
解が一般的には存在しなくなってしまうのです。
従って、この回路を設計するための現実的な手順は、まずトランジスタを
確実にONするようにRBを決めます。
その結果、Vil(max)が決まります。そして、回路仕様として結果的に実現可能な
Vil(max)を設定することになります。しかし、この結果、実現出来るVil(max)
はせいぜい0.2〜0.3Vくらいです。この値は、前段の回路のVol(min)と
かなり近い値です。すなわち、この回路は入力の"L"レベルにおける
ノイズ・マージンを確保するのが難しい回路と言えます。
課題
- スイッチング特性(AC特性)の検討
参考文献
関連項目
- エミッタ接地回路におけるトランジスタの静特性
-
-
JH8CHUのホームページ>
トランジスタ・パルス回路の設計>
トランジスタによるインバータ(1)
Copyright (C)2015 Masahiro.Matsuda(JH8CHU), all rights reserved.