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DTL NANDの実験
工事中(2014/10/02)
実験の目的
DTL(Diode Transister Logic)の直流特性を測定することを通じて、論理機能を確認する。
またDTL回路を接続する際に確認すべき項目について検討する。
実験課題
下記の項目について測定をいDTL NAND回路の動作を確認する。
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実験回路
回路の動作
- O
回路の設計
- 設計条件
(1)電源電圧(Vcc): 5V±5%
(2)出力レベル(Vo):
VOH
VOL
(3)入力レベル(Vi):
VIH
VIL
(4)負荷抵抗(ZL): 4.7kΩ(ON時/OFF時)
(5)入力側内部抵抗(Zs):
(6)トランジスタ直流電流増幅率(hFE):
- Rcの選定
- RBの選定
実験方法
(1)下図の回路を組み立てます。
(2)
実験機材
- 自作電子ブロック
必要ブロック
- トランジスタ(2CS1815相当品)×2個
- 抵抗器×2個
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実験結果
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測定結果・考察
今後の課題
参考文献
関連項目
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